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本发明涉及一种可降低发生膜分离与膜剥落的可能性的存储元件、其制造方法以及存储装置，所述存储元件依次包括第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括：电阻变化层，其包含氧化物，并且所述电阻变化层设置在第一电极侧；以及离子源层，其设置在第二电极侧...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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