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本发明公开了一种薄膜晶体管，包括：一栅极；一栅绝缘层，覆盖该栅极；一氧化物半导体通道层，配置于该栅绝缘层上且位于该栅极上方，其中该氧化物半导体通道层为单一膜层且具有一第一部以及一第二部，该第一部位于该第二部以及该栅绝缘层之间，该第一部的结晶...
该专利属于友达光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过友达光电股份有限公司授权不得商用。

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