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本发明提出了一种新型的增强型半导体器件。该增强型半导体器件利用了氮化物晶体中的自发极化效应和压电效应在方向最强，而在其他的非极性方向和半极性方向没有或者极弱的特性。在外延多层结构中设置脊形凸起，脊形凸起处存在氮化物的非极性面或半极性面，从而...
该专利属于程凯所有，仅供学习研究参考，未经过程凯授权不得商用。

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