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本发明涉及叠层高熔点焊接层及其制造方法以及半导体器件。一种叠层高熔点焊接层包括：叠层结构，其层叠多个三层结构，各个三层结构包括低熔点金属薄膜层以及置于低熔点金属薄膜层的表面和背面表面上的高熔点金属薄膜层；第一高熔点金属层，置于叠层结构的表面...
该专利属于罗姆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。

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