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一种半导体结构及其形成方法，以及一种PMOS晶体管及其形成方法，本发明所提供的PMOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构，以及位于所述栅极结构两侧半导体衬底内的凹槽；在所述凹槽底部形成硅锗种子层；在所述硅...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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