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本发明基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法。具体工艺为：用水热法在绝缘硅片上制备长径比较大的纳米线阵列；用HF将两端的氧化锌及硅的氧化物洗去，分别连出导线作为FET的源极和漏极；ZnO纳米线阵列受力产生的压电势作为调节源漏电流的...
该专利属于北京科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京科技大学授权不得商用。

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