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一种集成传感器及其制造所述器件的方法，该器件包括在半导体衬底中的MOS电路，具有互连导体和绝缘电介质的互连级，所述级在衬底上并互连MOS电路，互连级包含具有嵌入互连电介质中的电极的传感器，以及MOS电路包括用于处理来自传感器电极的信号的处理...
该专利属于硅实验室公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅实验室公司授权不得商用。

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