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一种太赫兹频段可调多带吸波体制造技术
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文档序号:8147794
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本实用新型公开一种太赫兹频段可调多带吸波体,包括至少4个呈矩阵排列的吸波体单元,其中每个吸波体单元均主要由含硅基体、金属层、介质体、金属十字叉和空心田字框组成。金属层的上下表面分别与介质体的下表面和含硅基体的上表面相贴。空心田字框水平贴附于...
该专利属于桂林电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过桂林电子科技大学授权不得商用。
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