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本发明涉及一种使用贯穿衬底通孔（TSV）晶片形成堆叠电子制品的方法，该方法包括使用具有第一脱粘温度的第一粘合材料（206）将第一载体晶片（205）安装到TSV晶片（202）的顶侧。TSV晶片从TSV晶片的底侧变薄，从而形成变薄的TSV晶片（...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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