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本发明提供一种在偏离角度为1°~6°的碳化硅单晶基板上具有掺杂密度的面内均匀性优良的碳化硅外延膜的外延碳化硅单晶基板。外延膜通过使0.5μm以下的掺杂层和0.1μm以下的无掺杂层重复而生长。通过将材料气体中的碳原子数相对于硅原子数的比（C/...
该专利属于新日本制铁株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新日本制铁株式会社授权不得商用。

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