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本发明提供可容易且准确地对经三维安装而得的半导体元件间的空间进行填充的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具备如下工序：准备在双面形成有多个连接用构件的半导体晶片的工序；准备具备在基材上层叠粘合剂层而得的切割片、和层叠在上述粘...
该专利属于日东电工株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日东电工株式会社授权不得商用。

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