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一种使用45度斜角的三维隧穿磁场传感器及其制造方法技术
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下载一种使用45度斜角的三维隧穿磁场传感器及其制造方法的技术资料
文档序号:8130512
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本发明属于磁场探测技术领域,具体涉及一种使用45度斜角的三维隧穿磁场传感器及其制造方法。本发明将用于测量不同纬度的三个隧道巨磁阻模块置于一个使用45度斜角的凹槽或者凸台结构之上形成三维隧穿磁场传感器,使得三维磁场传感器的体积减小、用于测量不...
该专利属于复旦大学所有,仅供学习研究参考,未经过复旦大学授权不得商用。
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