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本发明涉及一种射频法制备SiO2薄膜的方法，属于SiO2薄膜制备和应用领域。一种射频法制备SiO2薄膜的方法，为射频磁控溅射方法，包括射频溅射的步骤，所述射频磁控溅射步骤中采用下述工艺参数：射频功率1.8KW，溅射时间10min。所得产品的...
该专利属于大连交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连交通大学授权不得商用。

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