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本发明涉及LiGaGe2Se6化合物、LiGaGe2Se6非线性光学晶体及制法和用途；该LiGaGe2Se6化合物采用固相反应制备；LiGaGe2Se6非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长；在该LiGaGe2Se6非线性光学...
该专利属于中国科学院理化技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院理化技术研究所授权不得商用。

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