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本发明涉及半导体光电子光学领域，提供了一种三维光子限制光学微腔结构及其制备方法，其制备方法具体包括：提供硅衬底，利用光刻及刻蚀工艺在硅衬底上制备微米级的凹坑结构；在所述硅衬底的凹坑上沉积凹形布拉格反射器薄膜；提供用以进行光激发及光探测的光纤...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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