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一种快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由间隔排列的P型柱和N型柱组成，在P型柱上有第...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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