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本实用新型公开了一种电感耦合式等离子体刻蚀室，包括反应腔体和位于反应腔体上方的绝缘盖板，所述反应腔体内设有放置待处理基片的基座，所述绝缘盖板和所述反应腔体间设置有一气体供应环，所述绝缘盖板上方设置有连接射频功率源的电感线圈，所述气体供应环包...
该专利属于中微半导体设备（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）有限公司授权不得商用。

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