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本发明公开了一种应变SiGe垂直CMOS集成器件及制备方法，在600～780℃，在衬底NMOS和PMOS有源区上分别连续生长N型Si外延层、N型应变SiGe层、P型应变SiGe层、N型应变SiGe层、N型Si层和N型Si层、N型应变SiGe...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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