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本发明公开了一种基于自对准工艺的应变SiGe垂直沟道Si基BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在Si衬底片上的双极器件区域制造双多晶SiGe?HBT；在衬底NMOS器件和PMOS器件有源区上分别生长N型Si外延层、N型应变SiGe层、...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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