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本发明一般涉及一种倒装芯片的半导体器件及方法，更确切的说，本发明涉及一种利用倒装芯片的封装方式所制备的包含金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。在芯片安装单元上，通过在第一基座、第二基座各自的顶面上进行半刻蚀或模压来获得横向...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

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