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本发明涉及半导体制备工艺，提供一种低压金属栅互补金属氧化物半导体及其制备方法，用以提高低压金属栅互补金属氧化物半导体的产品质量，降低产品报废率。该方法为：在制作低压金属栅互补金属氧化物半导体的过程中，在沉积介质层之前，增加了一层起铺垫作用的...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。