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本发明公开涉及用于形成多结光生伏打结构的剥离方法和光生伏打器件。具体地，提供了一种包括设置具有锗和锡合金层的锗基板的切割半导体材料的方法。应力体层被沉积于锗基板的表面上。来自应力体层的应力被施加到锗基板，其中，应力切割锗基板以提供切割表面。...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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