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一种磁阻随机存取存储器MRAM集成电路包含衬底、磁性隧道结区域、磁性电路元件和集成磁性材料。所述磁性隧道结区域安置在所述衬底上，且包含由隧道势垒绝缘层分隔的第一磁性层和第二磁性层。磁性电路元件区域安置在所述衬底上，且包含多个互连的金属部分。...
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