温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种用于在插入电流路径中的场效应晶体管(FET)的协助下测量电流(IM)的方法，其中在晶体管(FET)的栅极(g)与源极(s)之间施加控制电压(Ugs)，以使漏极(d)与源极(s)之间横跨晶体管(FET)的电压降(Uds)在电流...
该专利属于马格纳斯泰尔汽车技术两合公司所有，仅供学习研究参考，未经过马格纳斯泰尔汽车技术两合公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。