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一种采用铝组分渐变电子阻挡层的LED结构制造技术
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下载一种采用铝组分渐变电子阻挡层的LED结构的技术资料
文档序号:8079721
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本发明涉及一种采用铝组分渐变电子阻挡层的LED结构。所述铝组分渐变电子阻挡层是与多量子阱层的外层GaN垒接触一侧为低Al组分AlxGa1-xN,0≤x≤0.1,与p-GaN层接触一侧为高Al组分AlyGa1-yN,0.1<y≤0.4,中间部...
该专利属于山东华光光电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过山东华光光电子有限公司授权不得商用。
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