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一种适用于铜制程的半导体装置，包含本体及至少一组电极结构，本体以氮化镓系半导体为主要材料构成，电极结构与外部电路电连接并包括形成于本体上且与本体欧姆接触的欧姆接触层、形成于欧姆接触层上的抑制层及形成于抑制层上且以铜为主成份的导线层，构成欧姆...
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