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本发明提供一种硅膜的制备方法，属于半导体制备工艺技术领域。该方法包括步骤：对于第一单晶硅衬底刻蚀形成通腔的步骤、对第二单晶硅衬底外延生长硅薄膜层的步骤、第一单晶硅衬底与第二单晶硅衬底的键合步骤、以及选择性地刻蚀去除全部第二单晶硅衬底的步骤。...
该专利属于无锡华润华晶微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润华晶微电子有限公司授权不得商用。

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