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本发明公开了一种基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法，在适当的退火条件下，对生长于衬底上的III族氮化物厚膜逐渐升高温度，同时利用在位应力监测系统监测其应力，当应力状态由负应力转变为正应力后，在高温下保持一段时间，然后逐渐降低温度...
该专利属于北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司授权不得商用。

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