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本发明提供一种化学气相淀积（ChemicalVaporDeposition，CVD）装置中硅基气体的控制方法，属于半导体制造技术领域。在该控制方法中，在CVD装置的腔体气阀打开前，排气气路的排气阀在开始对CVD装置的腔体中的晶圆加热时、或者...该专利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。