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本发明揭示一种制造半导体装置的方法，其包括：在装置衬底上形成金属层；形成与所述金属层接触的通孔；及在所述通孔上方添加电介质层。所述方法进一步包括：蚀刻所述电介质层的一部分以形成沟槽区域；及将垂直磁性隧道结MTJ结构沉积于所述沟槽区域内，类似...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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