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用以促进接合的重调节半导体表面的方法技术
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文档序号:8049391
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促进诸如硅晶片的半导体组件的接合的非磨蚀方法,这些半导体组件在接合界面表面上具有微结构缺陷。在优选的方法中,微结构缺陷通过以下方式去除:在该接合界面表面上形成氧化物层至低于该缺陷的水平的深度,且然后,去除该氧化物层以暴露出用于接合的满意表面...
该专利属于盾安美斯泰克股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过盾安美斯泰克股份有限公司授权不得商用。
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