温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种在蓝宝石图形化衬底上生长高质量GaN晶体材料的生长技术，使用MOCVD设备在蓝宝石衬底上生长GaN晶体，其特征在于在衬底上低温生长GaN晶体成核层材料，在成核层生长完毕后升高衬底材料温度后进行GaN晶体再结晶生长。在结晶过程结束后，降低...
该专利属于姜涛所有，仅供学习研究参考，未经过姜涛授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。