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本发明公开了一种带有硅纳米线绒面的非/微晶硅薄膜材料的制备方法，利用氢等离子体在氧化铟锡透明导电玻璃表面还原出一层铟金属纳米点，然后通入硅烷等前驱气体生长纳米线和薄膜，最终得到产品。本发明能够在一百摄氏度以下一次性制得非/微晶硅薄膜和硅纳米...
该专利属于中国科学院等离子体物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院等离子体物理研究所授权不得商用。

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