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本发明公开了一种溅射法制备高度取向的CuInS2外延薄膜的方法，将清洗过的CuInS2靶材和衬底分别放在靶台和样品台上装入真空室，调整靶台与样品台之间的间距为30~60mm，开启样品台和靶台自转，并调节样品台的自转速度为8~12r/min，...
该专利属于广州金升阳科技有限公司;湖北大学所有，仅供学习研究参考，未经过广州金升阳科技有限公司;湖北大学授权不得商用。

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