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本发明涉及太阳能光伏应用领域，特别是一种多步生长法制备微晶硅薄膜的方法。第一步刻蚀其特征在于用氢等离子体处理2-4min，H2流量为15sccm，得到籽晶层后，使用第一步的生长方法、工艺参数继续第二步生长得到微晶硅薄膜。随后用氢等离子体处理...
该专利属于青海天普太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青海天普太阳能科技有限公司授权不得商用。

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