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本实用新型涉及发光二极管表面金属周期性亚波长结构。发光二极管表面金属周期性亚波长结构，在半导体发光二极管的P型GaN层和N型GaN层上裸露的并且未被N电极和P电极覆盖的区域设置一层金属周期性亚波长结构，所述金属周期性亚波长结构从下到上依次包...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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