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一种双镶嵌结构及其形成方法、半导体器件，双镶嵌结构的形成方法包括：提供半导体基底，半导体基底内形成有器件结构，在半导体基底上形成有介质层；在介质层上形成具有第一开口的硬掩膜层，第一开口定义出互连沟槽的位置；在硬掩膜层上形成具有第二开口的光刻...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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