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一种电容式MEMS加速度计，包括依次设置的第一硅盖板层、中间硅层和第二硅盖板层，所述中间硅层包括第一硅岛和第二硅岛，所述硅岛形成在硅框架的内部，并与硅框架通过间隙间隔开；其中第一硅岛与第一硅盖板层金属电极接触，第二硅岛与第二硅盖板层金属电极...该专利属于北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所授权不得商用。