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本发明公开了一种免电激活的阻变存储器及其制备方法，属于半导体非易失性存储器技术领域。本发明的免电激活的阻变存储器，包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和顶电极之间的阻变功能层材料，阻变功能层材料由一层稀土氧化物薄膜和一层过渡金属氧化物薄膜构...
该专利属于北京有色金属研究总院所有，仅供学习研究参考，未经过北京有色金属研究总院授权不得商用。

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