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本发明提出一种全新的6管SRAM单元结构，此结构采用读写分开技术，从而很大程度上解决了噪声容限的问题，并且此结构在数据保持状态下，采用漏电流以及正反馈保持数据，从而不需要数据的刷新来维持数据。仿真显示了正确的读写功能，并且读写速度和6管基本...
该专利属于南京理工大学常熟研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京理工大学常熟研究院有限公司授权不得商用。

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