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本发明公开了一种双面钝化的MWT太阳电池及其制造方法，包括硅基体、发射极电极以及基极电极，硅基体正表面设有扩散掺杂层，位于扩散掺杂层上方设有SiNx减反层，所述的SiNx减反层与扩散掺杂层之间设有正表面介质膜层，硅基体背表面的铝层表面上设有...
该专利属于常州天合光能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州天合光能有限公司授权不得商用。

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