温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提出了一种高压晶体管及其制造方法。根据本发明实施例的高压晶体管包括半导体层、形成于该半导体层中的漏区和源区、形成于该半导体层中并位于其漏区周围的第一阱区、第一隔离层、栅区、位于其漏区和栅区之间的第一隔离层上的螺旋阻性场板、以及形成于该第一阱...
该专利属于成都芯源系统有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都芯源系统有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。