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本发明涉及SiC半导体功率器件。一种半导体功率器件包括SiC半导体主体。所述SiC半导体主体的至少一部分构成一个漂移区。第一接触件处于SiC半导体主体的第一侧。第二接触件处于SiC半导体主体的第二侧。第一侧与第二侧相对。第一接触件与第二接触...
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