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本发明公开了一种半导体器件负偏置温度不稳定性的测试结构，该结构包括一偏压输出装置，该偏压输出装置在器件栅极电压由应力负偏压转向测试电压或由测试电压转向应力负偏压的期间，向栅极输出一小于零的维持电压，从而在整个NBTI的测试过程中，栅极均接有...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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