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本发明公开了一种低活度钴-60棒状料位源，包括包壳、密封塞及源芯，所述源芯设于所述包壳内，所述滤芯的表面设有钴-60镀层。本发明还公开了一种制备所述低活度钴-60棒状料位源的方法，该方法包含以下步骤（1）源芯预处理；（2）钴-60镀液的配制...该专利属于成都中核高通同位素股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都中核高通同位素股份有限公司授权不得商用。
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