专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
浙江理工大学
>
以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法技术
>技术资料下载
下载以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法的技术资料
文档序号:7891840
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法。采用可膨胀石墨为碳源,硅粉和二氧化硅粉为硅源;或采用正硅酸乙酯为硅源,将正硅酸乙酯溶解于无水乙醇中,加入草酸以加速正硅酸乙酯水解再干爆燥后;将碳源和硅源混合并研磨均匀置于石墨坩埚中并...
该专利属于浙江理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过浙江理工大学授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。