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本发明提供了一种极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数VO2薄膜制备方法，其特征在于：该方法分为以下2个步骤，步骤1：利用磁控溅射镀膜仪的金属钒靶对Al2O3基片进行直流溅射，制备金属钒薄膜；步骤2：将金属钒薄膜置于快速退火炉内进行氧化处理，再将氧...
该专利属于东华大学所有，仅供学习研究参考，未经过东华大学授权不得商用。

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