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一种MRI磁信号增强器件制造技术
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文档序号:7847900
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本发明提供一种MRI磁信号增强器件,该MRI磁信号增强器件包括外壳以及设置在外壳内的三块负磁导率超材料板,相邻两块负磁导率超材料板呈直角,负磁导率超材料板包括基板及多个周期性阵列排布在基板上的人造微结构,三块负磁导率超材料板构成一拱形结构,...
该专利属于深圳光启创新技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳光启创新技术有限公司授权不得商用。
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