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一种MRI磁信号增强器件制造技术
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文档序号:7847898
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本发明提供一种MRI磁信号增强器件,MRI磁信号增强器件设置在待测部位与MRI成像设备的磁信号接收线圈之间,MRI磁信号增强器件包括外壳以及设置在外壳内的至少一层负磁导率超材料,该负磁导率超材料为经过特殊设计的低频负磁导率超材料,当MRI磁...
该专利属于深圳光启创新技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳光启创新技术有限公司授权不得商用。
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