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本发明提供了一种形成存储器单元的方法，包括：(1)在衬底上方形成第一导体(206)；(2)利用选择性生长工艺在第一导体上方形成可逆电阻切换元件；(3)在第一导体上方形成二极管(204)；以及(4)在二极管和可逆电阻切换元件上方形成第二导体(...
该专利属于桑迪士克3D公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克3D公司授权不得商用。

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